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無(wú)錫市星火電器有限公司
生產(chǎn)電力半導(dǎo)體器件的專業(yè)廠家

關(guān)于電力電子器件概述,星火電器為您梳理

發(fā)布日期:2020-11-05 10:00
信息摘要:
概念: 電力電子器件,又稱電力半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和控制電路中(通常指電流在幾萬(wàn)到幾萬(wàn)a,電壓在幾百伏特以上)。 設(shè)備開(kāi)發(fā): 電源器件幾乎應(yīng)用于所有電子...
概念:
       電力電子器件,又稱電力半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和控制電路中(通常指電流在幾萬(wàn)到幾萬(wàn)a,電壓在幾百伏特以上)。
設(shè)備開(kāi)發(fā):
       電源器件幾乎應(yīng)用于所有電子制造行業(yè),包括筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器和計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話機(jī)等終端及辦公設(shè)備;傳統(tǒng)的黑白家用電器和消費(fèi)電子領(lǐng)域的各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)PC、工業(yè)控制類的各種儀器和控制設(shè)備。
       電源裝置在保證這些裝置正常運(yùn)行的同時(shí),也能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產(chǎn)品需求的不斷增加和能源效率的要求,中國(guó)的電力設(shè)備市場(chǎng)保持了快速的發(fā)展速度。
分類:
       根據(jù)控制電路信號(hào)對(duì)電力電子設(shè)備的控制程度:
1. 半控制器件,如晶閘管;
2. 全控制器件,如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
3.不可控裝置,如功率二極管。
根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路在控制端與電力電子設(shè)備公用端之間所加信號(hào)的性質(zhì),將信號(hào)分為以下幾種:
1. 電壓驅(qū)動(dòng)器件,如IGBT、功率MOSFET、Sith(靜電感應(yīng)晶閘管);
2. 電流驅(qū)動(dòng)裝置,如晶閘管,GTO, GTR。
根據(jù)電力電子設(shè)備控制端與共用端之間的有效信號(hào)波形,驅(qū)動(dòng)電路可分為以下幾種
1. 脈沖觸發(fā),如晶閘管和GTO;
2. 電子控制類型,如GTR, powermosfet, IGBT。
根據(jù)電力電子器件中電子和空穴參與導(dǎo)電的情況進(jìn)行分類
1. 雙極器件,如功率二極管、晶閘管、GTO和GTR;
2. 單極器件,如功率mosfet、sit、肖特基勢(shì)壘二極管;
3.復(fù)合器件,如MCT (MOS控制晶閘管)、IGBT、Sith和IGCT。
設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn):
功率二極管:結(jié)構(gòu)原理簡(jiǎn)單,工作可靠;
晶閘管:所有器件的耐壓和電流容量高
IGBT:開(kāi)關(guān)速度快,開(kāi)關(guān)損耗小,能承受脈沖電流沖擊,通態(tài)壓降低,輸入阻抗高,電壓驅(qū)動(dòng),低驅(qū)動(dòng)功率;缺點(diǎn):開(kāi)關(guān)速度低于功率MOSFET,電壓電流容量小于GTO
GTR:耐壓高、電流大、開(kāi)關(guān)特性好、載流能力強(qiáng)、飽和電壓低;缺點(diǎn):開(kāi)關(guān)速度低、電流驅(qū)動(dòng)、驅(qū)動(dòng)功率大、驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜、二次擊穿
GTO:電壓電流容量大,適用于大功率場(chǎng)合,具有電導(dǎo)調(diào)制效果,電流容量大;缺點(diǎn):電流關(guān)斷增益很小,門(mén)極負(fù)脈沖電流大,開(kāi)關(guān)速度低,驅(qū)動(dòng)功率大,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,開(kāi)關(guān)頻率低
功率MOSFET:開(kāi)關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,驅(qū)動(dòng)功率小,驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,工作頻率高,無(wú)二次擊穿問(wèn)題;缺點(diǎn):電流容量小,耐壓能力低,一般適用于功率小于10kW的電力電子設(shè)備。
限制條件:耐壓、電流容量、開(kāi)關(guān)速度
 

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