信息摘要：
1.行業(yè)配置文件 離散功率器件按功率分為大功率半導體器件和中小型功率半導體器件。其中大功率晶閘管是指電流大于200A的晶閘管產(chǎn)品;大功率模塊是指電流大于25A的模塊產(chǎn)品;大功率...
1.行業(yè)配置文件
離散功率器件按功率分為大功率半導體器件和中小型功率半導體器件。其中大功率晶閘管是指電流大于200A的晶閘管產(chǎn)品;大功率模塊是指電流大于25A的模塊產(chǎn)品;大功率IGBT和MOSFET是指電流大于50A的IGBT和MOSFET產(chǎn)品。
在我國，晶閘管的研究始于60年代，大功率晶閘管的發(fā)展始于70年代。自20世紀80年代以來，大功率晶閘管在我國得到了很大的發(fā)展，同時也開發(fā)了相應的模塊。本世紀以來，引進了少量特大功率晶閘管(包括光控晶閘管)技術;近年來，國家逐步引進IGBT和MOSFET技術。隨著我國經(jīng)濟的不斷發(fā)展和對電力、交通、基礎設施的大規(guī)模投資，電力電子設備市場迅速發(fā)展，在全球市場的份額不斷增加。中國已成為世界上大功率電子設備的需求市場。晶閘管、模塊和IGBT的發(fā)明和開發(fā)，符合電力電子技術發(fā)展的不同需要。它們是電力半導體發(fā)展不同時期的重要標志產(chǎn)品。它們的應用領域和應用場合大多不同，也有一小部分交叉。
在技術不斷發(fā)展和技術逐步完善的驅動下，大功率半導體器件將向高壓、大電流、高頻、模塊化、智能化方向發(fā)展。在10kHz以下的高功率、高電壓應用中，大功率晶閘管及模塊具有抗沖擊能力強、可靠性高的特點，且成本低、應用簡單，易于推廣。
2.產(chǎn)業(yè)價值鏈的構成
大功率半導體器件行業(yè)的上游產(chǎn)業(yè)包括:單晶硅、鉬片、管殼、化學試劑、機械零部件加工等。作為大功率半導體器件制造行業(yè)的上游行業(yè)，單晶硅、鉬片和外殼的價格直接影響行業(yè)的整體成本。
單晶硅、鉬片和銅是工業(yè)的基本原料，廣泛應用于國民經(jīng)濟的許多行業(yè)。市場供應相對充足，有很多企業(yè)提供。雖然有價格波動，但從長遠來看，發(fā)展是穩(wěn)定的，不會對行業(yè)發(fā)展產(chǎn)生不利影響。
大功率半導體應用集中的下游行業(yè)包括:輸變電、鋼鐵冶煉、電機驅動、軌道交通、大功率供電、焊接等領域。大功率半導體在電機驅動和大功率電源領域的應用是下游需求中快速發(fā)展的兩種類型。大功率半導體器件作為基礎電子元器件，服務范圍廣，對個別下游產(chǎn)業(yè)的變化不敏感，與宏觀經(jīng)濟繁榮程度相關性較高。
從產(chǎn)業(yè)價值來看，大功率半導體器件作為電力電子領域的核心元器件，技術含量較高。上游是基礎材料和下游應用領域，是產(chǎn)業(yè)鏈中具有高附加值的一部分。
3.產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題
(1)我國大功率半導體產(chǎn)業(yè)投資不足，與國際先進技術水平存在差距。大功率半導體器件在許多關鍵領域中發(fā)揮著不可替代的作用。然而，該行業(yè)在研發(fā)方面的投入不足;技術創(chuàng)新和人才引進。大部分企業(yè)仍在生產(chǎn)中低端設備。目前，只有少數(shù)優(yōu)勢企業(yè)進行了自主創(chuàng)新，掌握了一些設備的制造技術。同時,業(yè)內企業(yè)有很大差距的過程環(huán)境,生產(chǎn)設備,檢測設備,檢測設備和其他方面與歐洲相比,美國和日本公司,導致產(chǎn)品的一致性和持久性差距和國際先進標準,這使得它很難進入市場。
(2)國內部分企業(yè)節(jié)能意識薄弱，不重視電網(wǎng)污染問題
國內部分企業(yè)節(jié)能意識薄弱，不重視電網(wǎng)污染問題，對電力電子設備投資不足，導致電力電子產(chǎn)品的應用水平和程度有限。例如:在很多情況下，電網(wǎng)的功率因數(shù)和諧波指數(shù)都不符合國家標準。為達到上述標準，應從各方面努力，逐步提高對電力電子應用必要性和迫切性的認識。
(3)行業(yè)內部分企業(yè)質量意識不強
電力電子技術在我國的應用還沒有普及，部分裝備制造企業(yè)和終端用戶對產(chǎn)品質量不重視。行業(yè)內的國內企業(yè)多為小規(guī)模企業(yè)，資金、技術、設備、人員等因素嚴重制約著企業(yè)的發(fā)展。進行低水平重復建設。小型企業(yè)過于關注價格，而忽視了主要的電力半導體器件的質量控制。因此，很難提高產(chǎn)品的價格和質量。大量企業(yè)在低端市場過度競爭，影響了市場秩序。
